高帯域幅メモリ(HBM)市場調査レポート ― 最新動向、成長機会、市場規模およびシェア予測分析(2025~2035年)

KDMIアナリストの成長分析によると、高帯域幅メモリ市場の収益は2035年までに312億米ドルに達すると見込まれている。同市場は、用途、エンドユーザー、メモリタイプ別に分類されている。


高帯域幅メモリ市場規模レポート ― 概要

高帯域幅メモリ市場に関する調査レポートによると、同市場は2025~2035年の期間に年平均成長率(CAGR)22.7%で成長すると予測されており、2035年末までに市場規模は312億米ドルに達すると見込まれている。2025年の市場規模は、収益ベースで41億米ドルと評価されていた。

• 高帯域幅メモリ市場の成長は、データセンターおよびクラウドインフラの拡大によって牽引されている。
• 日本では、ゲーミングおよび自動運転車分野からの需要拡大が高帯域幅メモリ市場の成長要因となっている。
• KDMIアナリストの成長分析では、市場の細分化および供給制約が高帯域幅メモリ市場の抑制要因になると予測されている。
• 高帯域幅メモリ市場において最も高い市場シェアを有するアジア太平洋地域が、世界市場を主導すると見込まれている。


高帯域幅メモリ市場分析

高帯域幅メモリ(HBM)は、高性能な3D積層DRAM技術である。HBMは、人工知能(AI)、グラフィックス、スーパーコンピューティングにおけるデータ転送のボトルネックを解消することを目的として設計されている。HBMは、スルーシリコンビア(TSV)を用いて垂直方向に積層構造が形成されており、従来のDDRやGDDRメモリと比較して、非常に高い帯域幅と低消費電力を実現している。世界の高帯域幅メモリ市場は、5Gの展開、コンピューティング技術の急速な進歩、ならびにゲーミング分野におけるIoTやAIの採用拡大を背景に成長を遂げている。

家電業界の進展や、軽量でシームレスな設計製品に対する需要の高まりにより、内蔵型メモリカードの必要性が増加しており、これが低遅延化およびデバイス性能向上を目的とした高帯域幅メモリの採用を後押ししている。microSDカード市場は、2028年までに17%成長すると予測されており、2024年には市場規模が2億4,800万米ドルに達すると見込まれている。ゲーミング、産業、コンシューマーエレクトロニクス市場におけるSDメモリカードの用途拡大が、HBM市場の拡大を加速させている。


日本の高帯域幅メモリ市場調査に関するアナリストの見解

日本の高帯域幅メモリ市場は、データセンターおよび高性能コンピューティング機器におけるHBMの利用拡大によって成長している。ゲーミングや自動運転車といった主要分野からの需要増加が、国内外企業による研究開発(R&D)エコシステムへの投資を促進している。調査レポートによると、日本は収益ベースで世界第3位のゲーミング産業を有している。日本国内には、PCゲーミング分野において1,600万人以上のアクティブユーザーが存在している。日本は1970年代以降の高い人気を背景に、常にゲーミング業界において重要なマイルストーンを達成してきた。

そのため、ゲーミング分野におけるアクティブユーザーの増加は、デバイスメーカーに対し、信頼性、性能、ユーザー体験を向上させるための先進的な高帯域幅メモリの統合を強く求めている。並列メモリチャネルを通じて低遅延かつ高帯域幅を実現できるHBMの特性は、産業用途に最適である。日本のHBM市場における主要参入企業には、Micron Technology、Samsung Electronics、IBM、Intel Corporation、SK Hynix などが含まれている。

高帯域幅メモリ市場:レポート範囲

基準年

2024

推定市場規模

2025年に41億ドル

予測年

2025-2035

予測される市場規模

2035年に312億ドル

年平均成長率(CAGR)

22.7%

高帯域幅メモリ市場の主要トレンド/成長要因

  • データセンターおよびクラウドインフラの成長
  • 5Gおよび先進ネットワークの成長

制約要因

 

  • 供給制約および製造ボトルネック
  • 市場の細分化および価格感応性

高帯域幅メモリ市場のセグメンテーション

  • 用途別
  • メモリタイプ別
  • エンドユーザー別
  • 地域別

高帯域幅メモリ市場の主要企業

  • Intel Corporation
  • Advanced Micro Devices
  • NVIDIA Corporation
  • Broadcom Inc
  • Texas Instruments
  • Fujitsu Ltd
  • Powerchip Technology Corporation
  • Nanya Technology Corporation
  • Netlist Inc

高帯域幅メモリ市場の成長要因と制約要因

成長要因

データセンターおよびクラウドインフラの成長 ― 高帯域幅メモリ市場の主要な成長要因は、ハイパースケールデータセンターおよびクラウドコンピューティングプラットフォームの急速な拡大である。現代のクラウドワークロードは、高スループットかつ低遅延のメモリアーキテクチャに依存している。現在、クラウドコンピューティングは高度なコンピューティングサービスへのグローバルなアクセスを支える基盤とみなされている。2025年第3四半期時点で、AWS、Microsoft Azure、GCPは世界のクラウドインフラサービスの62%を占めている。クラウドコンピューティング市場は、2030年までに年率21.2%で成長すると予測されている。クラウドインフラの拡張は、デバイスにおける高帯域幅メモリの採用を促進している。AI、リアルタイム分析、大規模仮想化、インメモリデータベースなどのアプリケーションでは、プロセッサとメモリ間でより高速かつ高性能なデータ転送が求められる。HBMは従来のDRAMと比較してワット当たりの帯域幅が高いため、データセンター事業者は消費電力を抑えつつ性能を向上させ、運用コストを削減することが可能となる。これらの利点により、HBMは幅広い産業分野での利用に適しており、先端コンピューティング技術への継続的な投資を促している。

5Gおよび先進ネットワークの成長 ― 5Gネットワークの急速な展開と先進的な通信インフラの大幅な進化により、膨大なデータトラフィックを最小限の遅延で処理可能な高速メモリソリューションへの需要が高まっている。基地局やエッジサーバーなどのネットワーク機器では、大量のデータをリアルタイムで処理する必要があり、そのためには超低遅延アプリケーションと高帯域幅メモリが不可欠である。HBMの高い帯域幅密度は、信号処理の高速化とエネルギー効率の向上を可能にし、世界市場におけるブロードバンドサービスの高度化と相まって、ネットワークシステムに適したソリューションとなっている。さらに、通信事業者が5Gネットワークのカバレッジ拡大や次世代ネットワークへの備えを進める中で、ネットワーク分野におけるHBM需要は増加している。

制約要因

供給制約および製造ボトルネック ― 高帯域幅メモリ市場における重要な制約要因の一つは、原材料の供給制限や製造上の制約であり、これがデータ処理能力に影響を及ぼし、歩留まりの課題を引き起こしている。この状況は、供給拡大や市場のスケーリングを遅らせる可能性がある。

市場の細分化および価格感応性 ― 高帯域幅メモリは高性能用途には費用対効果が高いものの、一般的なコンピューティング用途には適していない。このため、主流のPC、コンシューマーエレクトロニクス、その他の分野への普及が限定されている。さらに、用途の限定性は最終製品のコスト上昇につながり、価格に敏感な消費者の採用を妨げる要因となる可能性がある。


高帯域幅メモリ市場のセグメンテーション

KD Market Insightsの専門家は、世界の高帯域幅メモリ市場調査レポートを以下のように分類している。

用途別

  • GPU
  • 高性能コンピューティング
  • AIおよび機械学習
  • ネットワーキングおよびデータセンター
  • 自動車
  • コンシューマーエレクトロニクス

メモリタイプ別

  • HBM1
  • HBM2
  • HBM2E
  • HBM3
  • HBM4

エンドユーザー別

  • 半導体
  • 自動車
  • ヘルスケア
  • ゲーミング

高帯域幅メモリ市場の地域別概要

アジア太平洋地域は、世界の高帯域幅メモリ市場を支配しており、その成長は、HBMの生産および技術革新の大部分を担うSK HynixやSamsungといった主要市場参加企業の強力な存在によって牽引されている。韓国、台湾、中国、日本などの国々は、ウエハーファブ能力、先進的なパッケージングエコシステム、ならびにクラウドプロバイダーやAIハードウェアコンポーネントからの地域需要の拡大を背景に、主要な貢献国となっている。同地域は半導体製造において優位性を持ち、AI主導の輸出需要を拡大させている。アジアは世界の半導体製造能力の約75%を占めており、AIインフラの急速な発展が高性能コンピューティングに対する需要を高めている。急速なデジタルトランスフォーメーション、強力な5G展開、AI、データセンター、HPCインフラへの投資増加が、同地域での採用をさらに加速させている。

北米は第2位の地域であり、米国が地域市場成長において大きなシェアを占めている。これは、ハイパースケールデータセンター、AI研究、高性能コンピューティングプラットフォームへの大規模投資により、HBM製品への需要が増加していることが要因である。主要な半導体設計拠点およびクラウドプロバイダーは、先進的なコンピューティングインフラにHBMを積極的に統合している。2020年から2021年にかけて、米国の半導体製造業界における研究開発(R&D)実績は、収益ベースで9.8%増加した。このR&Dエコシステムの拡大は、クラウドコンピューティングサービスの高度化と技術革新をさらに促進している。加えて、リショアリングやCHIPS法に基づく投資により、HBMおよびDRAMの生産能力が拡大し、長期的な供給体制と技術革新が強化されている。

欧州地域は、世界の高帯域幅メモリ市場において顕著な成長を示しており、その成長はスーパーコンピューティング、自動車エレクトロニクス、産業デジタル化への投資によって牽引されている。ドイツ、フランス、英国では、研究用HPCクラスターや先進的な産業プラットフォームへのHBMの統合が進んでいる。半導体R&Dやエネルギー効率の高いコンピューティングを促進する欧州の政策イニシアチブも、HBMの採用を後押ししている。同地域の成長は、主に現地製造よりもアプリケーション需要から生じている。エッジコンピューティングや通信インフラの高度化も、高帯域幅メモリソリューションへの関心を高めている。

中東・アフリカ地域は、世界のHBM市場において中程度の成長を示しており、人工知能(AI)、スマートシティ、データセンターへの投資拡大を背景に、高性能メモリソリューションの採用が進んでいる。また、企業および公共部門における高度なコンピューティングニーズの拡大が、地域需要を支えている。

中南米地域は、他地域と比較して安定した市場成長を示している。デジタルトランスフォーメーション施策の進展、クラウドサービスの拡大、金融および通信分野の成長により、HBM対応システムの新興ユースケースに対する強い需要が生まれている。

KD Market Insightsのアナリストによると、以下の5社がアジア太平洋地域のHBM市場シェアをリードしている。

  • Micron Technology, Inc.
  • Samsung Electronics Co. Ltd.
  • SK Hynix Inc.
  • Intel Corporation
  • Fujitsu Limited

高帯域幅メモリ市場の競争環境

世界の高帯域幅メモリ市場の成長を牽引する主要な参加企業には、以下が含まれる。

  • Samsung Electronics
  • SK Hynix
  • Micron Technology
  • Intel Corporation
  • Advanced Micro Devices
  • NVIDIA Corporation
  • Broadcom Inc
  • Texas Instruments
  • Fujitsu Ltd
  • Powerchip Technology Corporation
  • Nanya Technology Corporation
  • Netlist Inc
  • Open Silicon Inc
  • Micronet Ltd
  • Cypress Semiconductor Corporation

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よくある質問

高帯域幅メモリ市場は、2035年末までに312億米ドルの収益に達すると予想されています。

高帯域幅メモリ市場は、2025年に41億米ドルの収益と評価されました。

高帯域幅メモリ市場の成長要因には、データセンターおよびクラウドインフラの成長、ならびに5Gおよび先進ネットワークの拡大が含まれます。

高帯域幅メモリ市場は、用途、エンドユーザー、メモリタイプ別に分類されています。

2035年の予測年において、APAC地域が高帯域幅メモリ市場を支配すると予想されています。
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