SiCおよびGaNパワー半導体市場調査報告書 — 最近の動向、成長機会、および市場規模とシェアのグローバル予測分析（2025–2035）

SiCおよびGaNパワー半導体市場規模レポート – 概要

世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場に関する調査報告書によると、市場は2025年から2035年の間に年平均成長率（CAGR）23.1％で成長し、2035年末までに市場規模は118億米ドルに達すると予測されています。2025年の市場規模は16億米ドルの収益と評価されました。

• 世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長は、電力電子部品の変革によって推進されています。
• 日本では、高効率・高性能なパワーコンポーネントの需要拡大がSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長に影響を与えています。
• KDMIアナリストの成長分析によると、再生可能エネルギー分野および電気自動車産業の成長が、SiCおよびGaNパワー半導体市場の主要な成長要因になると予測されています。
• 北米は、SiCおよびGaNパワー半導体市場で最も高い市場シェアを有しています。

SiCおよびGaNパワー半導体市場分析

シリコンカーバイド（SiC）および窒化ガリウム（GaN）は、広いバンドギャップを有するパワー半導体であり、電子機器、DC/ACコンバーター、DC/ACインバーターの効率と性能を向上させる役割を果たします。これらの半導体デバイスは、高電圧耐性と10倍高い絶縁破壊電圧による高臨界電界を持つため、高周波かつ高出力の電子機器において広く利用されています。市場の成長は、パワーエレクトロニクスの進化、従来のシリコン系半導体の限界克服、および電力効率の向上によって推進されています。Infineon Technologies AG、Cree、ON Semiconductorなどが、世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場における主要な参加企業の一部です。

日本のSiCおよびGaNパワー半導体市場調査に関するアナリストの見解

日本におけるSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長は、高効率・高性能なパワーコンポーネントの需要増加によって推進されています。自動車、再生可能エネルギー、通信産業の発展が、生産性を高める持続可能で環境に優しい半導体需要の拡大に寄与しています。日本政府は、日産自動車株式会社の電気自動車（EV）用バッテリー開発計画を支援するために3億9,136万米ドルの資金提供を発表しており、これがSiCおよびGaNパワー半導体デバイスの採用拡大を後押ししています。Roma Semiconductor Group、富士電機、リテルヒューズなどが、日本のSiCおよびGaNパワー半導体市場における主要な参加企業です。

SiCおよびGaNパワー半導体市場の成長要因と制約

成長要因

電気自動車（EV）への採用拡大 – SiCおよびGaNパワー半導体は、電気自動車市場において電力効率と車両性能の向上に大きな役割を果たしています。シリコンカーバイドと窒化ガリウムの両方は、急速充電や長距離走行を可能にする特性から、パワーエレクトロニクス部品に不可欠な材料です。シリコンカーバイドは高電圧および高温に耐える能力に優れており、主に電気自動車に使用されています。一方、窒化ガリウム部品はDC/ACコンバーターやその他の電力系デバイスの性能を向上させる特性を持っています。米国では、高効率バッテリーの需要が80％増加しています。

再生可能エネルギー用途の増加 – 再生可能エネルギー分野の拡大に伴い、バッテリー寿命を延ばす持続可能なソリューションへの需要が高まり、SiCおよびGaNパワー半導体市場の成長を後押ししています。シリコンカーバイドおよび窒化ガリウム部品は、高周波動作および高温耐性の特性を持つため、主にソーラーインバーターや風力タービンに使用されています。これらの用途は、エネルギー損失の削減、効率の向上、そして持続可能なソリューションの導入による環境保護に貢献しています。国際エネルギー機関（IEA）によると、世界の再生可能エネルギー発電量は今後10年で1万7,000テラワット時に達し、2023年比で約90％増加すると予測されています。

制約要因

初期コストの高さ – SiCおよびGaNパワー半導体市場の成長は、導入および維持コストの高さによって制約を受けています。これらの部品の製造は複雑なプロセスであり、高度な技能を持つ労働者が必要ですが、市場変動により熟練労働者を確保することが難しい場合があります。また、シリコンカーバイドおよび窒化ガリウムの原材料不足も市場成長の抑制要因となっています。さらに、電子機器および家電製品の製造における正確な技術統合とスケーラビリティの要求が高いため、市場拡大が困難になることがあります。

SiCおよびGaNパワー半導体市場のセグメンテーション

KD Market Insightsの専門家は、世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場調査レポートを以下のように分類しています。

SiCおよびGaNパワー半導体市場の地域別概要

北米は世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場をリードしており、その成長は自動車産業の拡大と持続可能な電力ソリューションの導入によって推進されています。政府による半導体製造への取り組みや投資が、生産性向上を目的としたシリコンカーバイドおよび窒化ガリウム部品の導入を促しています。米国は、デジタル化の進展に伴う効率的なエネルギー貯蔵ソリューションへの需要拡大により、主要国として市場を牽引しています。同国では労働人口の26％がデジタル関連職に従事しており、これは2010年比で18％増加しており、高効率半導体デバイスへの需要の高まりを示しています。

アジア太平洋地域のSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長は、急速な都市化と電気自動車の普及によって推進されています。同地域での電気自動車の導入拡大は、温室効果ガス排出削減や有害エネルギー源からの環境保護を目的としています。日本、中国、インドは、政府の支援や消費者への補助金制度により、電気自動車の主要な消費市場となっています。地域内の新興国や発展途上国では電気自動車の販売が40％増加しており、これがSiCおよびGaNパワー半導体の需要拡大につながっています。

ヨーロッパでは、データの安全性と保存オプションに対する需要の高まりがSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長を促しています。欧州の消費者はデータの安全性とセキュリティを重視しており、データセンター市場の拡大につながっています。このデータ保存およびセキュリティ需要の増加は、半導体デバイス内での効率を高めるためのシリコンカーバイド部品や高周波動作用途での窒化ガリウム部品の需要を押し上げています。

ラテンアメリカのSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長は、デジタルセキュリティに対する意識の高まりや、企業によるインフラ開発投資によって支えられています。

中東およびアフリカのSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長は、急速な都市化、スマートホームの普及、高級志向の文化などによって支援されています。高効率で持続可能なソリューションへの需要が市場成長を後押ししています。

KD Market Insightsのアナリストによると、北米のSiCおよびGaNパワー半導体市場の成長を主導している主要5社は以下の通りです。

• ROHM Co Ltd
• Toshiba Corporation
• Renesas Electronics Corporation
• VisIC Technologies Ltd
• Cree, Inc

SiCおよびGaNパワー半導体市場の競争環境

世界のSiCおよびGaNパワー半導体市場シェアをリードする主な企業は以下の通りです。

• Alpha and Omega Semiconductor
• Fuji Electric Co., Ltd
• Infineon Technologies AG
• Littelfuse, Inc.
• Mitsubishi Electric Corporation
• Renesas Electronics Corporation
• ROHM SEMICONDUCTOR
• SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
• STMicroelectronics
• IQE PLC
• Transphorm Inc.
• Saint-Gobain
• GeneSiC Semiconductor Inc.